污秽分布对绝缘子串温度场影响

作者:白张; 岳嵩; 王浩; 士登; 梁海东; 张志劲
来源:电工技术, 2023, (23): 185-188.
DOI:10.19768/j.cnki.dgjs.2023.23.054

摘要

为研究污秽分布直流绝缘子串温度变化情况,建立70 kV直流双伞型瓷绝缘子串模型,通过有限元法对绝缘子串温度场进行仿真,分析了均匀、不均匀污秽分布对绝缘子串温度变化的影响。结果表明:在均匀饱和湿污秽的条件下,各片绝缘子温度有不同幅度的上升,且随着总污秽程度的增加,绝缘子整体温升增大;当考虑绝缘子上、下表面盐密不一致时,绝缘子下表面积污对绝缘子串温升影响比上表面大,且随着绝缘子下表面污秽量的增加,绝缘子串的整体温升增大;当上、下表面盐密比从7∶1变化至1∶7时,绝缘子串的温度先升高再降低,在1∶3时达到最高温度,研究结果可为污秽监测提供参考。

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