调Q运转外腔面发射激光器

作者：张晓健; 潘丽; 曾颖; 张洲; 杨红伟; 王彦照; 王涛; 朱仁江; 范嗣强^*; 张鹏^*

来源：中国激光, 2021, 48(07): 17-24.

• 激光器
• 调Q
• 外腔面发射激光器
• 可饱和吸收
• 4+∶YAG晶体" name="keyword">Cr4+∶YAG晶体
• 半导体可饱和吸收镜

在光泵浦外腔面发射激光器中,分别用Cr4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜SESAM作为可饱和吸收介质,获得了稳定的调Q脉冲输出。使用Cr4+∶YAG晶体时,调Q脉冲的宽度为10μs,脉冲重复频率为26.3 kHz。在相同的脉冲重复频率下,用半导体可饱和吸收镜所获得的调Q脉冲宽度为8μs。基于外腔面发射激光器中增益芯片的量子结构,以及Cr4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜各自的时间特性,分析讨论了两种不同的可饱和吸收介质作用下,外腔面发射激光器中调Q脉冲的形成过程,初步清晰了外腔面发射激光器这一特殊种类的激光器中与调Q过程相关的物理图像。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所; 电子工程学院; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 重庆师范大学; 发光学及应用国家重点实验室