低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响

作者：王英龙; 高建聪; 褚立志; 邓泽超; 丁学成; 梁伟华; 傅广生

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (02): 451-455.

• 脉冲激光烧蚀
• 纳米Si颗粒
• 尺寸
• 气流 pulsed laser ablation
• Si nanocrystal
• size
• gas flow

纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应,广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中.尺寸影响着纳米硅的实际用途,因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点水平方向、距靶2cm处引入一束流量为5sccm的氩(Ar)气流,在0.01—0.5Pa的Ar气压下烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在管口正下方1cm处水平放置衬底来沉积纳米Si薄膜;并用同一装置,在0.08Pa的Ar气压下分别引入流量为0,2.5,5,7.5,10sccm的Ar气流沉积纳米Si薄膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分...

• 单位
  河北大学