碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响

作者：吉忠浩; 阎大勇; 龙世兵; 薛景星; 徐广伟; 肖印长; 娄世殊

来源：微电子学, 2019, 49(01): 136-145.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180144

• 28nm
• 碳掺杂
• PLDD掺杂浓度
• PMOS器件

基于28nm Polysion工艺,研究了在轻掺杂源漏区(LDD)提升掺杂浓度与掺杂碳源对PMOS器件的影响。实验结果表明,掺杂碳原子可以有效抑制硼的瞬时增强扩散效应(TED),并有效降低器件结深,降低漏电流。在P型轻掺杂源漏区(PLDD)提升掺杂浓度,可以有效提高电路速度,但会导致更严重的硼扩散与漏电流。通过研究不同浓度的碳原子与PLDD浓度对器件的影响,选取合适的碳源掺杂浓度并提高PLDD的掺杂浓度,在同样饱和电流的情况下器件具有更小的漏电流,可以提升PMOS器件的饱和电流与漏电流(Ion-Ioff)性能约6%。

• 单位
  中国科学院大学; 中芯国际集成电路制造有限公司