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摘要
本发明公开了一种深紫外感存算一体单极性忆阻器及其制备方法。主要解决现有技术对深紫外波段的灵敏度低、可靠性不高且不便数字集成的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)、光电忆阻功能层(3)和顶电极(4)。所述光电忆阻功能层,采用宽禁带半导体材料Ga-2O-3,其厚度为20nm～30nm,以使器件的阻变特性表现为单极性,提高器件的灵敏度、阻变特性和可靠性；所述顶电极,采用的金属材料Ag,其厚度为100nm～150nm,以配合Ga-2O-3材料进一步提高器件的阻变特性。本发明对深紫外光具有很强的光响应,热稳定性好,能兼容CMOS工艺,且具有出色的阻变性能,便于大规模集成,可用于深紫外光的感存算一体化。
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