基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

作者：叶鹏; 文光俊; 蔡竟业; 王永平

来源：微计算机信息, 2009, (19): 130-131.

• 带隙基准电压源
• 温度系数
• 电源电压调整率
• BiCMOS bandgap voltage source
• temperature coefficience
• Line Sensitivity
• BiCMOS

电压基准是模拟集成电路的重要单元模块,本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源。仿真结果表明,该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V,在-45℃～105℃范围内,其温度系数为3.6ppm/℃,在在电源电压为3V～3.6V范围内,参考电压从.16295V～1.16308V,变化了130uV,电源电压调整率为0.0186%/V。

• 单位
  电子科技大学; 广州润芯信息技术有限公司