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摘要
研究了将旁路二极管集成到晶体硅太阳电池上的工艺.采用丝网印刷的方法,在晶体硅片局部区域印刷上合适的浆料,经烧结后直接形成一个二极管,其p-n结方向与主体太阳电池的p-n结方向相反,该二极管被用作旁路二极管,接着采用激光刻槽工艺将二极管与主体电池隔离,最后把多片集成了旁路二极管的太阳电池封装成组件,利用组件I-V测试仪进行不同遮挡条件下的测试.实验结果表明,集成在硅太阳电池上的旁路二极管可以有效地稳定组件短路电流,减少局部遮挡条件下组件输出功率的损失.
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单位中山大学; 光电材料与技术国家重点实验室
