添加剂Si对NiMnCo触媒合成金刚石的影响

作者：郑友进; 贾晓鹏; 马红安

来源：人工晶体学报, 2009, (01): 255-258.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.01.032

• 硅
• 高温高压
• 金刚石
• V形区 silicon
• HPHT
• diamond
• V-shape region

本文研究了添加剂Si对NiMnCo粉末触媒合成金刚石生长特性的影响。实验中将不同比例的无定形Si粉直接添加到Ni-Mn-Co-C体系中并均匀混合,在国产六面顶压机上进行了金刚石单晶的合成实验。结果表明,由于掺Si量的不同,合成金刚石的最低生长压力有所不同,"V"形区发生了移动;通过考察Ni-Mn-Co-C和Ni-Mn-Co-Si-C两种体系中合成金刚石的情况并借助于光学显微镜,发现两种体系所合成的晶体颜色变化并不大,但随着Si含量的增加,晶体的完整性变差,包裹体增多;通过XPS检测发现,在Ni-Mn-Co-Si-C体系所合成的金刚石当中存在SiC。