基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。