阵列型高功率薄膜匹配负载研究

作者：蒋中东; 张万里; 彭斌; 邓森洋; 蒋洪川

来源：电子元件与材料, 2014, 33(12): 25-28.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.007

• 微波匹配负载
• TaN薄膜
• 阵列型
• 高功率
• 简化实频法
• 丝网印刷
• 射频磁控溅射

基于功率分配思想和简化实频法设计了频率为DC20 GHz,承载功率为40 W的阵列型微波薄膜匹配负载器件;采用丝网印刷工艺和射频磁控溅射工艺制备了设计的Ta N薄膜匹配负载器件。研究了所制器件的性能,结果表明,在DC23.6 GHz,电压驻波比均小于1.3。加载功率为8,18,40 W时,薄膜表面的最高温度分别为37.6,59.5,113.6℃。热成像测试结果表明,所设计器件的两个电阻膜温度基本一致,实现了功率的平均分配。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室