基于Doherty技术的高效率小型化LTE线性功放设计

作者：祝超; 陈新宇

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(01): 45-55.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.01.009

• Doherty
• 氮化镓高电子迁移率晶体管
• 功率放大器
• 高效率
• 小型化

设计了一款基于2.4mm栅宽的GaN HEMT工艺的对称型长期演进(LTE)线性Doherty功率放大器。通过使用陶瓷片Lange定向耦合器作为功率分配器并使用陶瓷片电容和微带作为匹配网络代替传统的PCB微带匹配网络,减小了电路面积。阐述了Doherty放大电路的基本原理,制作了电路实物并进行测试。在3.43.6GHz频段范围内,该功率放大器的饱和功率45.2dBm,饱和效率60.0%,回退8dB时效率为52.1%,线性增益为16.8dB;输入80MHz带宽LTE信号,在回退8dB时经过数字预失真(DPD)算法优化后邻信道功率比(ACPR)为-38.3dBc;功率放大器匹配部分尺寸为9mm×4mm。

• 单位
  南京国博电子有限公司