摘要

采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响。纳米颗粒的X射线衍射(XRD)谱表明,所制备的Cd O样品为立方结构。场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小。利用室温光致发光(PL)和紫外-可见光谱(UV-Vis)分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,Cd O能带隙由于掺杂而增大。对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大。根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变Cd O纳米结构的物理性质。