一种高精度低输出电压的带隙基准

作者：居水荣; 朱晓宇; 刘锡锋; 石径

来源：微电子学, 2018, 48(02): 167-172.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170176

• 带隙基准源
• 高阶温度补偿
• 分段二次补偿
• 电源抑制比
• 熔丝调节

分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900mV。在-40℃125℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃。低频时,电源抑制比达-109dB。

• 单位
  江苏信息职业技术学院; 中国电子科技集团公司