<正>TI公司的DRV8300是100V三个半桥栅极驱动器,能驱动高边和低边N沟功率MOSFET. DRV8300D能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产生正确的栅极驱动电压,用于高边MOSFET;而DRV8300N能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产生正确的栅极驱动电压,用于高边MOSFET. GVDD用来产生驱动低边MOSFET的栅极电压.栅极驱动架构支持峰值高达750m A源电流和1.5-A沉电流.
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