C/C-SiC-HfB2多元陶瓷基复合材料烧蚀机理分析

作者：田蔚; 白侠; 郭春园

来源：固体火箭技术, 2019, 42(06): 724-729.

• C/C-SiC-HfB2复合材料
• 微观结构
• 烧蚀性能
• 烧蚀机理

针对C/C复合材料抗氧化性能差的问题,采用化学气相沉积和先驱体浸渍裂解炭化复合致密方法制备出密度为1.85 g/cm3的C/C-SiC-HfB2复合材料,通过氧乙炔火焰烧蚀测试了材料的质量烧蚀率和线烧蚀率,借助SEM、XRD和能谱等观察分析了微观结构及物相变化,详细研究并阐述了C/C-SiC-HfB2复合材料的高温抗氧化烧蚀机理。结果表明,制备的C/C-SiC-HfB2复合材料烧蚀率低,质量烧蚀率为0.001 g/s,线烧蚀率为0.003 mm/s;良好的烧蚀结果是因为在烧蚀过程中,在材料表面形成HfO2热障材料层、致密的SiO2玻璃层和SiO2/HfO2氧化复合层,阻碍了氧气和热量从表面向材料内部的传递,使氧化烧蚀行为只限于表面,保护了材料内部不受破坏,提高了材料的高温抗氧化、抗烧蚀性能。

• 单位
  西安航天复合材料研究所