一种新型异质结双栅隧穿场效应晶体管

作者：江瑞

来源：科技创新与应用, 2022, 12(12): 44-51.

DOI：10.19981/j.CN23-1581/G3.2022.12.010

• 异质结
• 隧穿场效应晶体管(TFET)
• 带带隧穿(BTBT)
• 亚阈值摆幅
• TCAD仿真

文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(GP＿Si/Ge＿DGTFET)。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge材料可以使器件拥有更低的亚阈值摆幅和更大的开态电流，同时pocket结构的引入可以进一步降低隧穿势垒。基于Sentaurus TCAD仿真软件，将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge＿DGTFET)进行对比。仿真结果表明，该新器件拥有更好的亚阈值摆幅和开关特性，其开态电流为6.0×10-5A/μm，关态电流约为10-14A/μm，平均亚阈值摆幅达到35.36 mV/dec。

• 单位
  上海电力大学