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摘要
通过提取阈值电压变化,研究了温度、连续读操作和α粒子辐射三种应力因子对38 nm SLC NAND闪存产品的可靠性影响。结果表明,温度和α粒子引起阈值电压的退化呈幂数规律,连续读操作则仅造成随机波动;低温(75℃)时,数据保持时间偏离激活能曲线的原因可能源于隧穿氧化层中的氟离子;单个存储单元晶体管级别的读噪声相比芯片整体更大。α粒子辐射可以诱发低水平的软错误几率。该研究结果为产品可靠性计划的制定和改善提供了重要依据。
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单位中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所; 中芯国际集成电路制造有限公司
