外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析

作者：王晓军

来源：集成电路应用, 2023, 40(07): 38-40.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.07.015

• 集成电路制造
• 绝缘栅双极晶体管
• 背面FS层
• 工艺流程设计

阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术，包括IGBT器件的特点，IGBT背面FS层的设计技术，IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后，背面硼离子注入之前，用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率，实现背面FS层的高精度控制。