摘要

本发明专利公开了一种基于无机空穴传输材料钙钛矿量子点发光二极管的原位合成制作方法,其使用多步旋涂的方法,在依次涂有PEDOT:PSS、CuI的ITO玻璃基底上原位合成发光层CsPbBr3钙钛矿量子点。本发明的多步旋涂原位合成技术为制备高性能的、高稳定性的全无机钙钛矿提供了一种新的方法,避免了使用传统合成方法合成之后再提纯、再溶解以及暴露在空气环境中使量子点光学性能等急速下降的问题;且通过优化钙钛矿发光二极管的各个功能层,用透光率高、电荷传输性能良好的无机材料代替常用的有机材料作为空穴传输层制备了高效的发光器件,解决了有机材料稳定性差的问题;且工艺简单、生产难度小、实用性强。