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摘要
目前高速大容量存储多采用Flash阵列架构,解决高速存储阵列中Flash芯片的坏块管理是提高该阵列存储可靠性和存储速度的关键。针对Flash阵列的坏块管理,提出基于整合块映射的坏块管理策略和基于BRAM查表法的坏块管理策略,并对这两种方案进行对比,同时对传统突发坏块的管理方法进行优化,通过空闲回读模式来保证数据存储速度。经在线仿真与实际测试,可正确找出坏块地址且数据正确无误码,验证了上述方法的正确性和可操作性,同时对整合块管理方法造成的容量损失进行极限计算与实际测试,损失容量在1%以下,完全满足工程需求。
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