基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔ ADC的设计

作者：黄沫; 陈弟虎; 叶晖; 徐肯; 郭建平

来源：中山大学学报(自然科学版), 2014, 53(05): 8-13.

DOI：10.13471/j.cnki.acta.snus.2014.05.027

• TD-LTE
• ΣΔADC
• 连续时间
• 多余环路延迟(ELD)

为了降低TD-LTE终端功耗,采用0.13-μm CMOS工艺实现了一款基于TD-LTE终端的连续时间ΣΔADC。采用该ADC的TD-LTE接收机省去了传统接收机中的低通滤波器,节省了功耗。该ADC采用了3阶、3位量化的结构,并用较简单的方法实现了多余环路延迟(ELD)的补偿。该ADC的硅片测试结果显示在TD-LTE的20 MHz带宽下实现了66 dB的动态范围,功耗为25.1 mA。

• 单位
  中山大学; 广州市广晟微电子有限公司; 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院