应变GeSn CMOS器件及其制备方法

作者：张洁; 宋建军; 任远; 胡辉勇; 宣荣喜; 舒斌; 张鹤鸣

来源：2017-02-10, 中国, CN201711112562.5.

本发明涉及一种应变GeSn#CMOS器件及其制备方法。该CMOS器件包括：单晶Si衬底、第一Ge籽晶层、第二Ge主体层、GeSn层、Ge层、栅氧化层、金属栅极层。本发明提供的CMOS器件具有很高的空穴和电子迁移率,可显著提升晶体管的速度与频率特性。

• 单位
  西安电子科技大学