一种基于增强型NMOS反相器的低错误率只读PUF

作者：魏欣; 孙玥

来源：电子器件, 2018, 41(04): 1037-1041.

• 物理不可克隆函数
• 低比特错误率
• CMOS工艺

降低BER(比特错误率)是应用于物联网安全领域PUF(Physical Uncloneble Function)的热点问题。针对降低比特错误率,提出了一种新型低比特错误率的只读PUF。这种新型PUF的核心思想是用EE(Enhancement-Enhancement)NMOS反相器替代在传统的SRAM存储单元中的CMOS反相器,使得存储单元的上电阶段数据对噪声抵抗能力增强。在180 nm工艺标准下,蒙特卡洛仿真结果显示此新型PUF在室温下的比特错误率低于1%,与传统SRAM PUF相比,比特错误率大幅减小。芯片实测结果证实了此结论。

• 单位
  南京信息职业技术学院