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摘要
随着电子信息技术的飞速发展，具有更高抗干扰能力以及更高灵敏度的日盲紫外探测器引起了广泛关注。六方相氮化硼(h-BN)凭借其超宽带隙、高光吸收系数、高热导率及高击穿场强等优势成为日盲紫外探测器研究的热点材料。此外，h-BN良好的机械强度和光学透明性使其兼具柔性探测器的潜力。然而室温条件下制备的h-BN薄膜常具有较多缺陷，极大程度上限制了其柔性探测器的发展。本文在室温条件下采用反应磁控溅射，以B为生长源，在蓝宝石和Si衬底上实现了较高质量h-BN薄膜的制备，并在此薄膜的基础上制备了高性能日盲紫外探测器。3 V电压下，其探测器拥有极低的暗电流(0.07 pA)、较高的响应度(1.37μA/W)和探测率(2.73×10~(10) Jones)。本文的研究结果证实了室温制备h-BN薄膜及其日盲紫外探测器的可行性，为实现可在室温下工作的h-BN探测器的应用提供了参考。
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