有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法

作者：闫梁臣; 袁广才; 徐晓光; 王磊; 彭俊彪; 兰林锋

来源：2016-01-15, 中国, CN201610027679.2.

本发明公开了一种有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法,属于平板显示领域。该有源层的材料为氧化锆铟,氧化锆铟的化学式为Zr-xIn-(100-x)O-y,其中,0.1≤x≤20,y＞0。利用本发明提供的有源层,可采用全直流溅射制备得到各种结构类型,例如底栅交错结构的薄膜晶体管,并保证所得到的薄膜晶体管的载流子迁移率高,电学均匀性高,而且能保证栅极绝缘层的厚度可控。

• 单位
  华南理工大学; 京东方科技集团股份有限公司