FFS液晶显示模式下残像的非对称电压补偿研究

作者：时成瑛; 蔡敏; 傅炯樑; 王一明; 秦丹丹; 夏志强

来源：光电子技术, 2019, 39(04): 285-288.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2019.04.013

• 残像
• 边缘场切换技术
• 挠曲电效应

通过非对称电压补偿方法研究了FFS模式下的残像现象。实验结果表明在不更换盒内材料的情况下,非对称电压补偿可以快速有效地改善残像问题。同时研究了不同的材料、不同的像素结构对应的实际补偿电压。结果显示随着配向膜电阻的增加,补偿电压有增大趋势(0.1 V到0.3 V),正负性液晶以及不同像素结构(公共电极层分别位于最上层和中间层,Top/Mid com)呈相反趋势(+0.3 V和-0.3 V),且不同于以往的研究,最终的残像结果负性液晶好于正性液晶。不同的彩膜平坦化层材料对应的补偿电压也有较明显差异。研究为FFS液晶显示模式残像的快速改善提供了参考。