<正>专利申请号:2022105724409公布号:CN114914268A申请日:2022.05.24公开日:2022.08.16申请人:湘能华磊光电股份有限公司本发明提供了一种微尺寸LED芯片结构,包括衬底和间隔设置在衬底上的多个微尺寸芯片结构;每个所述微尺寸芯片结构均包括外延片结构、支撑转移层、P电极和N电极。本发明又提供了一种制备所述的微尺寸LED芯片结构的制备方法,包括:步骤S1、制备外延片结构;步骤S2、制备支撑转移层;步骤S3、制备N电极和P电极。