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摘要
本发明公开了一种Ga-2O-3金属氧化物半导体场效应管及制备方法,主要解决现有MOSFET器件阈值电压低、击穿电压小及工艺复杂、制作难度大的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、外延层以及栅介质层,外延层上方的左右两侧分别为源、漏电极,绝缘栅介质层上方为栅电极。所述栅介质采用高k介质层与电荷存储层交替堆叠的结构,且电荷存储层的长度按照自下而上的顺序从靠近源极一侧到靠近漏极一侧逐渐减小。本发明通过采用上述栅介质层结构,使栅介质层电子在不同程度上耗尽沟道电子,不仅提高了阈值电压,而且能有效平滑沟道电场分布、抑制沟道尖峰电场强度,进一步提高器件击穿电压,且降低制作成本和难度,可用于功率器件和高压开关器件。
- 单位
