摘要
在当下的实际应用中,特别是电动汽车领域,由于该领域的快速发展导致功率半导体器件需要更高的性能要求。自功率半导体诞生以来,技术人员主要致力于提高元件的耐压耐温、开关频率、通流能力等性能,然而硅元件性能受限于基地材质,该材质存在明显的上限,目前的硅功率半导体的性能基本接近上限,难以满足当前及未来电动汽车电机控制器对效率,功率密度,体积,可靠性等方面的需求。这些问题的存在使得行业积极转向采用前沿技术:采用性能更加优异的碳化硅(SiC)功率半导体器件代替传统的硅(Si)功率半导体器件进行电机控制器设计。