本发明提出了一种基于粒子入射随机性的单粒子故障注入方法,解决了传统电路级单粒子效应仿真中故障注入模型无法模拟粒子入射的随机性导致仿真精度差的问题。该方法通过最劣情况下单粒子瞬态效应的实际脉冲电流特性曲线修正器件单粒子瞬态电流源模型,并基于中心极限定理实现具有高斯分布单粒子脉冲故障注入模型,还根据被测电路的版图信息以及器件单粒子效应敏感区域信息计算有效入射概率,进而得出符合实际的有效入射粒子数量,从而模拟粒子入射的随机性,提高了仿真精度。
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