ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

作者：李盛涛; 成鹏飞; 赵雷; 李建英

来源：Acta Physica Sinica, 2009, (01): 523-528.

DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082

• ZnO压敏陶瓷
• 本征缺陷
• 介电谱
• 热处理 ZnO varistor ceramics
• intrinsic defects
• dielectric spectroscopy
• heat treatment

从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.

• 单位
  电力设备电气绝缘国家重点实验室; 西安工程大学; 西安交通大学