强流脉冲电子束轰击对单晶Si表面形貌的影响

作者：朱健; 储金宇; 王雪涛; 关庆丰; 梁亮

来源：核技术, 2009, 32(08): 601-605.

• 强流脉冲电子束
• 单晶硅
• 剪切带
• 微孔洞
• 熔坑 HCPEB
• Si single crystal
• Deformed shear band
• Micropore
• Crater

用强流脉冲电子束技术对两种取向的单晶Si片进行了表面轰击,对电子束诱发的表面形貌进行了分析。实验结果表明,当能量密度～3J/cm2时,轰击表面开始形成大量的熔坑。能量密度～4J/cm2时,表面开始出现微裂纹,微裂纹的形态与单晶Si的晶体取向密切相关;强流脉冲电子束轰击能够诱发表层强烈的塑性变形,[111]取向单晶Si表面出现剪切带结构,而[001]取向单晶Si表面变形结构则以微条带为主;此外,变形区域内还出现大量<100nm的微孔洞形貌,这些微孔洞的形成为制备表面多孔材料提供了可能。

• 单位
  材料科学与工程学院; 泛亚汽车技术中心有限公司; 环境科学与工程学院; 江苏大学