载流子导引的折射率变化偏振相关性研究

作者：缪庆元; 崔俊; 胡蕾蕾; 何健; 何平安; 黄德修

来源：Acta Physica Sinica, 2012, (20): 503-507.

• 折射率变化
• 载流子导引
• 偏振相关
• 量子阱 refractive index change
• carrier-induced
• polarization dependence
• quantum well

分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响.综合调配以上参数得到1530—1570 nm波长范围内同时具有大的折射率变化量(10~(-2)量级)和折射率变化低偏振相关(10~(-4)量级)的量子阱结构.研究表明,不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱.

• 单位
  武汉大学; 华中科技大学; 武汉光迅科技股份有限公司