本发明公开了一种超薄无机窄带异质结光电探测器及其制备方法,该光电探测器是基于单晶硅和铜镓碲薄膜形成的异质结而构成的光电转化机构。本发明的探测器在铜镓碲薄膜的厚度达到20nm以上时即可获得在近红外区域的窄带光谱响应(半峰宽≈110nm),且该探测器具有制作工艺简单、光谱选择性好、性能优越且稳定等特点。
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