一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法

作者：杨林安; 严霏; 马遥; 马晓华; 郝跃

来源：2018-12-20, 中国, ZL201811564501.7.

本发明涉及一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法,该方法包括：选取衬底层；在所述衬底层上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长异质结沟道层；在所述异质结沟道层上形成空心阳极。本发明实施例,通过采用一种基于空心阳极结构及掺杂GaN+/GaN-结构结合非故意掺杂AlGaN/GaN异质结结构的方法,提高GaN基肖特基二极管的截止频率fC。

• 单位
  西安电子科技大学