共轭低聚物中光生分子间电荷转移态的第一性原理研究（英文）

作者：李志伟; 郭的坪; 黄广艺; 陶王莉; 段满益^*

来源：Chinese Journal of Chemical Physics, 2018, 31(03): 313-317.

• 电子结构
• 光学性质
• 单层In1-xGaxN
• Heyd-Scuseria-Ernzerh方法

本文基于第一性原理中的Heyd-Scuseria-Ernzerh方法研究了单层In1-xGaxN的电子结构和光学性质.计算得到单层In1-xGaxN的能带结构和态密度(DOS),发现随着掺杂比例的变化,体系带隙的变化范围是1.8～3.8 eV,表明通过Ga的掺杂可以实现体系带隙值的调节.并且还研究了单层In1-xGaxN的介电函数,折射率和吸收系数等光学性质,结果表明随着Ga掺杂浓度的增加,介电函数谱的主峰和吸收谱发生了显著的蓝移.此外,基于能带结构和态密度图谱,对单层In1-xGaxN的光学性质进行分析,预测这种材料独特的光学性质在纳米电子学和光学器件中会有广泛的应用.

• 单位
  中国科学院上海应用物理研究所; 四川师范大学; 电子工程学院