n-Cu2O/p-Cu2O纳米棒复合结构的制备与光电化学性能

作者：周梦萦; 朱丽萍

来源：材料科学与工程学报, 2015, 33(05): 641-644.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2015.05.004

• Cu2O
• 纳米棒
• 电沉积
• 光电化学性能

采用热分解和电化学沉积相结合的方法,在p-Cu2O纳米棒上沉积n-Cu2O,制备了nCu2O/p-Cu2O纳米棒复合结构。通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)和Mott-Schottky(MS)测试研究了样品的结构、形貌以及导电类型,使用光电流密度测试考察了样品的光电化学性能,并根据电化学阻抗测试(EIS)进行了机理分析。结果表明:沉积n-Cu2O之后样品的载流子分离-转移能力大幅提升,因此n-Cu2O/p-Cu2O纳米棒复合结构表现出良好的光电化学性能。

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学