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摘要
电荷陷阱型V-NAND技术具有较低的单位存储成本,优异的写入与读取速度,高可靠性等优点被越来越广泛地使用。SiO2在V-NAND中被广泛用作隔离氧化层,隧穿氧化层,介电层以及离子注入掩模等。本文阐述了电荷陷阱型V-NAND基本存储单元的物理和能带结构,并对写入与擦除过程电子隧穿过程进行分析;对位成本缩减技术(BICS)和阵列存储单元兆级晶体管技术(TCAT)的存储区域的物理结构进行对比,对其存储单元的立体结构进行分析。重点介绍热氧化法,化学气相沉积法和原子层沉积法制备SiO2薄膜的原理的性质,并对三种方法制备SiO2薄膜的物理和电性特征进行分析。
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