提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究

作者：娄有信; 王继扬; 张怀金; 李强; 严清峰; 马朝晖; 戴媛静

来源：人工晶体学报, 2011, (06): 1418-1422+1428.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.06.025

• 单晶铜
• 化学机械抛光
• 表面粗糙度 copper single crystal
• chemical-mechanical polishing
• surface roughness

采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为15 mm×60 mm。采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm。

• 单位
  山东大学; 清华大学; 辽宁大学; 摩擦学国家重点实验室; 晶体材料国家重点实验室; 物理学院