Ba、Gd共掺杂SrTiO_3结构的能带计算

作者：张丽英; 张丽丽; 曹庆琪

来源：伊犁师范学院学报(自然科学版), 2013, (02): 32-35.

• SrTiO3
• 掺杂
• 第一性原理
• 能带结构
• 态密度 SrTiO3
• dope
• first principles
• energy band
• density of states

运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂、Ba掺杂和Ba、Gd共掺杂SrTiO(3STO)晶体的几何结构、能带结构、电子态密度,并且进行了分析.计算结果表明,未掺杂的STO、Ba单掺杂和Ba、Gd共掺杂STO晶体的禁带宽度分别为1.89ev、1.77ev、0.677ev,同未掺杂、Ba单掺杂STO相比,Ba、Gd共掺杂STO晶体具有更稳定的结构,更窄的带隙,并且呈现出导电性.

• 单位
  伊犁师范大学