摘要

利用第一性原理对CsBBr3(B=Sn, Ge, Si, C)的能带结构、电子态密度和吸收谱进行了系统的计算.结果显示:CsSnBr3、CsGeBr3、CsSiBr3和CsCBr3均属于p型直接带隙半导体,价带主要由Br-4p轨道贡献,导带主要由Sn-5p、Ge-4p、Si-3p或C-2p轨道形成,其中CsCBr3在波长300~900 nm范围内具有更高的吸收系数,平均吸收系数大约是CsPbBr3的3倍.