新颖TiN/C3N4/CdS纳米管核/壳阵列的合成及其光电化学性能

作者：艾长智; 童丽; 王志鹏; 张锡东; 王桂振; 邓盛珏; 李劲; 林仕伟

来源：催化学报, 2020, (10): 1645-1653,后插43-后插46.

DOI：S1872-2067(19)63512-6

• TiN
• g-C3N4/CdS
• 光电化学催化
• 降解
• 纳米管阵列

近年来,g-C3N4基异质结由于能极大提高光生载流子的分离效率而得到了广泛的研究.然而,大多数的研究都是基于g-C3N4粉体.为了提高g-C3N4基异质结的光电催化性能,本文设计了一种新颖的具有核/壳结构的TiN/C3N4/CdS纳米管阵列.此结构中TiN纳米管阵列对模拟太阳光几乎没有响应,因此只是作为支撑g-C3N4/CdS异质结的优良导电纳米管阵列骨架.采用简单液相原子层沉积法制备的g-C3

• 单位
  材料科学与工程学院; 浙江大学; 海南大学