化学机械抛光流动性能分析

作者：张朝辉; 雒建斌; 温诗铸

来源：润滑与密封, 2004, (04): 31-33.

• 晶片
• 化学机械抛光
• 润滑方程
• 压力分布 wafer
• chemical mechanical polishing
• lubrication equation
• pressure distribution

基于连续流体理论和其运动学关系 ,建立了力平衡方程关系式。推导了牛顿流体在化学机械抛光过程中的润滑方程 ,给出了模拟出的典型的压力分布情况和无量纲载荷、转矩与抛光垫转速变化的关系。计算结果表明 :抛光中的压力分布是沿半径方向变化的且抛光垫转速的增加将有助于提高抛光的切除速率。

• 单位
  摩擦学国家重点实验室