ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究

作者：郑中华; 林建平^*; 杨智

来源：液晶与显示, 2018, 33(09): 758-763.

• ZnO
• 纳米线
• 生长机理
• 场发射

为了快速制备具有优良场发射性能的ZnO纳米线,对ZnO纳米线的生长机理及场发射性能进行研究。首先采用优化的两步法制备出高长径比的ZnO纳米线,其次采用SEM对ZnO的微观形貌进行表征,然后,在分析形貌特点的基础上,说明了强碱体系下ZnO纳米线薄膜的快速生长机理。最后,对典型样品的场发射性能进行了测试。测试果表明,优化后的两步法,只需3h即可获得直径为4050nm,长度为2.22.7μm,长径比高达54的纳米线。薄膜的开启电场为3.6V/μm,阈值场强为9.1V/um,场增强因子β高达3 391。研究表明,高pH值溶液可以加快ZnO纳米线沿C轴方向的择优生长,获得高长径比的ZnO纳米线,进而获得优良的场发射性能。

• 单位
  福建师范大学协和学院; 厦门理工学院; 西安交通大学