DRAM介质刻蚀工艺和设备发展简述

作者：胡增文^*; 侯剑秋; 周娅

来源：微纳电子与智能制造, 2022, 4(02): 105-112.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2022.02.105

• DRAM
• 介质刻蚀
• CCP刻蚀设备
• 集成电路制造
• 工艺与硬件

本文从动态随机存储(DRAM)架构和制造出发,介绍DRAM刻蚀工艺,包括图形、材料、化学气体以及设备;重点阐述20 nm以下DRAM介质刻蚀的工艺挑战,分析工艺类型、工艺特点并提出解决方案;从工艺概念和硬件功能两方面追踪对应的CCP刻蚀设备发展现状,并展望发展趋势。