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摘要
介绍了一款基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的2～18GHz超宽带低功耗低噪声放大器芯片的设计，给出了在片测试结果。该芯片采用结合有源偏置和并联负反馈技术的改进型共源共栅放大结构，该结构可以使放大器在超宽带的工作频带范围内实现低噪声、低功耗和较高增益，同时减小放大器性能对工艺波动的敏感程度。在2～18GHz的超宽带频率范围内，该芯片实测噪声系数≤1.4 dB，增益≥14 dB，且具有3 dB的正斜率，输出P-1功率≥12 dBm，输入输出驻波≤1.6，整个芯片功耗仅为0.15 W，芯片尺寸仅为：1.4 mm×1.1 mm×0.1 mm。
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单位成都嘉纳海威科技有限责任公司
