高反射率p-GaN欧姆接触电极

作者：康香宁; 章蓓; 胡成余; 王琦; 陈志忠; 张国义

来源：发光学报, 2006, 27(01): 75-79.

DOI：10.3321/j.issn:1000-7032.2006.01.014

• p-GaN
• 欧姆接触
• 反射电极
• 两步合金法
• 激光剥离
• 垂直结构LED

根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室