氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响

作者：余学功; 张媛; 马向阳; 杨德仁

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2004, (03): 284-287.

• 直拉硅
• 重掺锑
• 氧沉淀 Czochralski silicon
• heavily Sb-doped
• oxygen precipitation

通过在不同条件下退火 ,研究氮杂质对重掺锑硅 (HSb- Si)中氧沉淀的影响 .实验结果表明 ,在高温单步退火(10 0 0～ 115 0℃ )和低高两步退火 (6 5 0℃ +10 5 0℃ )后 ,掺氮 HSb- Si中与氧沉淀相关的体微缺陷的密度都要远远高于一般的 HSb- Si.这说明在 HSb- Si中 ,氮能分别在高温和低温下促进氧沉淀的生成 .因此 ,可以认为与轻掺直拉硅一样 ,在 HSb- Si中 ,氮氧复合体同样能够生成 ,因而促进了氧沉淀的形核 .实验结果还表明氮的掺入不影响 HSb硅中氧沉淀的延迟行为 .

• 单位
  硅材料国家重点实验室