无片外电容高稳定型LDO电路设计

作者：黄海生; 叶小艳; 李鑫; 党成

来源：西安邮电大学学报, 2020, 25(05): 63-68.

DOI：10.13682/j.issn.2095-6533.2020.05.011

• 瞬态响应
• 环路补偿
• 极点分裂
• 无片外电容

针对低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)环路稳定性差导致系统瞬态响应差,在负载电流改变时线性稳压器输出电压不稳定的问题,提出了一种基于瞬态增强技术的米勒补偿型无片外电容LDO电路。在LDO电路中瞬态增强缓冲模块与输出级的功率管栅端形成负反馈,在稳定功率管栅端电压的同时,减小整个环路的第二级等效阻抗,使极点分裂程度在经典米勒补偿技术的基础上有所增加,从而提高了LDO负载瞬态改变时的系统稳定性。采用台积电0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计了电源电压为3.3 V输出电压为1.8 V的LDO。仿真结果表明,设计LDO的相位裕度大于72°,负载电流在100 ns内从1 mA跳变到200 mA时输出电压最大变化为0.045 mV,电源电压抑制比为-78 dB。

• 单位
  电子工程学院; 西安邮电大学