LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

作者：朱登华; 李旺; 刘石勇; 牛新伟; 杜国平

来源：人工晶体学报, 2015, 44(01): 19-37.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.01.001

• 低压化学气相沉积
• B掺杂ZnO
• 透明导电薄膜
• 方块电阻
• 光学减反

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响。结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现"类金字塔"的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15%明显降低至5%左右,表现出优异的光学减反性能。

• 单位
  浙江正泰太阳能科技有限公司; 硅材料国家重点实验室; 南昌大学材料科学与工程学院; 浙江大学